[实用新型]一种电动汽车的上电缓冲电路有效
申请号: | 201420658700.5 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN204168265U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 牟超 | 申请(专利权)人: | 苏州汇川技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 陆军 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种电动汽车的上电缓冲电路,所述电动汽车的控制电源通过正直流母线和负直流母线为负载模块供电,所述上电缓冲电路包括:控制芯片、驱动光耦、直流接触器以及MOSFET;其中:所述正直流母线经所述直流接触器连接至所述负载模块;所述MOSFET与所述直流接触器并联,且该MOSFET的漏极连接至所述正直流母线,该MOSFET的源极连接至所述负载模块;所述控制芯片连接至所述MOSFET的栅极,并与所述直流接触器连接,所述控制芯片用于控制所述MOSFET的通断以及控制所述直流接触器的开关。本实用新型的MOSFET能有效减小缓冲电路体积,并且开关速度迅速。 | ||
搜索关键词: | 一种 电动汽车 缓冲 电路 | ||
【主权项】:
一种电动汽车的上电缓冲电路,所述电动汽车的控制电源通过正直流母线和负直流母线为负载模块供电,其特征在于,所述上电缓冲电路包括:控制芯片、光耦、直流接触器以及MOSFET;其中: 所述正直流母线经所述直流接触器连接至所述负载模块; 所述MOSFET与所述直流接触器并联,且该MOSFET的漏极连接至所述正直流母线,该MOSFET的源极连接至所述负载模块; 所述控制芯片连接至所述MOSFET的栅极,并与所述直流接触器连接,所述控制芯片用于控制所述MOSFET的通断以及控制所述直流接触器的吸合与断开。
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