[实用新型]阵列基板结构与显示装置有效
| 申请号： | 201420654477.7 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN204189797U | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘侑宗;李淂裕;邱冠宇;王兆祥 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/31;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种阵列基板结构与显示装置，该阵列基板结构包括：一基板；一绝缘层，位于该基板上；一半导体层，位于该绝缘层上；一介电层，位于该半导体层上，且该介电层具有一开口，并部分地露出该半导体层与该绝缘层，其中该开口于一第一方向上具有一第一宽度；以及一导线，沿不同于该第一方向的一第二方向延伸而设置于该介电层之上并填入该开口内，以电连接为该开口所露出的该半导体层，其中该导线包括位于该介电层的一顶面上的一第一部以及位于该开口内的一第二部，而该导线的该第一部于该第一方向上具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 板结 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板结构，其特征在于，该阵列基板结构包括： 基板； 绝缘层，位于该基板上； 半导体层，位于该绝缘层上； 介电层，位于该半导体层上，且该介电层具有一开口，并部分地露出该半导体层与该绝缘层，其中该开口于一第一方向上具有一第一宽度；以及 导线，沿不同于该第一方向的一第二方向延伸而设置于该介电层之上并填入该开口内，以电连接为该开口所露出的该半导体层，其中该导线包括位于该介电层的一顶面上的一第一部以及位于该开口内的一第二部，而该导线的该第一部于该第一方向上具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司，未经群创光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420654477.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
