[实用新型]基于DDR2内存的分压电路有效
| 申请号： | 201420218833.0 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN203799666U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 赵晋 | 申请（专利权）人： | 四川华立德科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于DDR2内存的分压电路，它包括由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2构成的串联电阻电路、由第一滤波电容C1和第二滤波电容C2构成的串联电容电路，第一分压电阻R1的一端与电源电压VDDQ连接，第一分压电阻R1的另一端与第二分压电阻R2的一端串联，第二分压电阻R2的另一端接地，第一滤波电容C1的一端连接于电源电压VDDQ和第一分压电阻R1的公共端，第一滤波电容C1的另一端与第二滤波电容C2的一端串联，第二滤波电容C2的另一端与第二分压电阻R2共地，串联电阻电路和串联电容电路的中点与DDR2内存参考电源端口连接。本实用新型采用电阻分压的方式得到VREF的电压，即节约成本，又能在布局上比较灵活，且能够紧密的跟随VDDQ电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ddr2 内存 压电 | ||
【主权项】：
基于DDR2内存的分压电路，其特征在于：它包括由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2构成的串联电阻电路、由第一滤波电容C1和第二滤波电容C2构成的串联电容电路，第一分压电阻R1的一端与电源电压VDDQ连接，第一分压电阻R1的另一端与第二分压电阻R2的一端串联，第二分压电阻R2的另一端接地，第一滤波电容C1的一端连接于电源电压VDDQ和第一分压电阻R1的公共端，第一滤波电容C1的另一端与第二滤波电容C2的一端串联，第二滤波电容C2的另一端与第二分压电阻R2共地，串联电阻电路和串联电容电路的中点与DDR2内存参考电源端口连接。
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