[实用新型]激光退火设备有效
申请号: | 201420147680.5 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN204189771U | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 田雪雁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及薄膜制备技术领域,公开了一种激光退火设备。所述激光退火设备包括激光源和基板承载装置,所述基板承载装置包括呈平面结构、用于放置基板的固定面,所述激光源发出的激光照射到固定面上的入射角α小于90度。在将非晶硅薄膜层转变为多晶硅薄膜层的退火工艺中,通过设置激光源发出的激光不垂直照射到基板上,使得基板上的非晶硅薄膜层转变为多晶硅薄膜层后,因为基板有倾斜角度,受重力分量的影响晶粒结晶取向固定,多晶硅薄膜的晶粒的尺寸较大,且形状和尺寸分布均一,提高了LTPS薄膜晶体管的性能。本技术方案由于仅需改变激光照射到固定面上的入射角,方便简洁,制作成本低。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 设备 | ||
【主权项】:
一种激光退火设备,包括激光源和基板承载装置,所述基板承载装置包括呈平面结构、用于放置基板的固定面,其特征在于,所述激光源发出的激光照射到所述固定面上的入射角α小于90°,所述固定面不平行于水平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造