[实用新型]半导体集成电路和半导体模块有效
申请号: | 201420118878.0 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN203747670U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 坂井邦崇;杉田纯一;砂川千秋;铃木直仁;前川祐也 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供半导体集成电路和半导体模块,其通过改善半导体集成电路的电阻测量精度,从而具有高可靠性。该半导体集成电路对功率因数改善电路和逆变器电路进行驱动,该半导体集成电路的特征在于,具有俯视观察时呈四角形状的半导体基板和多个电极,所述功率因数改善电路具有至少一个晶体管元件,所述逆变器电路具有至少一个开关元件,在所述多个电极中,与所述至少一个晶体管元件的栅极端子连接的电极的面积比与所述至少一个开关元件的栅极端子连接的电极的面积大。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 模块 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路,其对功率因数改善电路和逆变器电路进行驱动,该半导体集成电路的特征在于,所述半导体集成电路具有俯视观察时呈四角形状的半导体基板和多个电极,所述功率因数改善电路具有至少一个晶体管元件,所述逆变器电路具有至少一个开关元件,在所述多个电极中,与所述至少一个晶体管元件的栅极端子连接的电极的面积比与所述至少一个开关元件的栅极端子连接的电极的面积大。
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