[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201410829340.5 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104576871B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·扎巴蒂尔;卢茨·赫佩尔;安德烈亚斯·魏玛;卡尔·恩格尔;约翰内斯·鲍尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张春水,丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种具有半导体层序列(2)的发光二极管芯片(1)，该半导体层序列被接触部(5)通过电流扩展层(3)电接触。接触部(5)覆盖电流扩展层(2)的面积大约1％‑8％。接触部(5)例如由分离的接触点(51)构成，它们设置在具有12μm的格栅常数的规则的格栅(52)的节点上。电流扩展层(3)例如包含氧化铟锡、氧化铟锌或者氧化锌，并且具有在15nm到60nm的范围中的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，具有：‑半导体层序列(2)，其具有用于产生电磁辐射的有源区(21)，‑电流扩展层(3)，其与半导体层序列(2)邻接，‑接触部(5)，其电接触电流扩展层(3)，‑自由区域(53)，所述自由区域(53)关于有源区(21)居中地设置，其中，‑接触部(5)覆盖电流扩展层(3)的面积的至少1％到最多8％之间，‑所述自由区域(53)没有接触部(5)，‑介电层(4)在自由区域(53)中穿过电流扩展层(3)并且直接与半导体层序列(2)邻接，‑所述介电层(4)构成为介电镜层，以及‑所述发光二极管芯片具有附加的特征i至ii中的一个，即i.接触部(5)的导热性随着距半导体层序列(2)增加的距离而增加，或者ii.接触部(5)具有锥形形状，其中接触部(5)的横截面积(D)随着距半导体层序列(2)增加的距离而增大。
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