[发明专利]基于石墨烯ZnO阴极的平面钙钛矿太阳能电池及制备方法在审

专利信息
申请号: 201410828282.4 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN104617220A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 张春福;唐诗;张进成;陈大正;郝跃;习鹤;罗莉 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱卫星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于石墨烯ZnO阴极的钙钛矿太阳能电池及其备方法,主要解决现有钙钛矿太阳能电池透明电极成本高、能级不匹配和界面特性差的问题。其自下而上包括:衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6),其中阴极(2),采用石墨烯,用于收集电子,电子传输层采用ZnO,用于修饰界面,阻挡空穴,传输电子。本发明采用石墨烯作为阴极,通过旋涂前驱体溶液制备ZnO电子传输层,降低了石墨烯电极的功函数,实现了石墨烯和CH3NH3PbI3之间的能级匹配,改善了界面特性,有效提高了平面结构钙钛矿太阳能电池的性能。
搜索关键词: 基于 石墨 zno 阴极 平面 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种基于石墨烯ZnO阴极的平面钙钛矿太阳能电池,自下而上包括:衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6),其特征在于:所述阴极(2),采用石墨烯,用于收集电子;所述电子传输层(3),采用ZnO,用于修饰界面,阻挡空穴,传输电子。
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