[发明专利]一种硫化镉芯片及硫化镉芯片表面钝化层的制作方法有效
申请号: | 201410784546.0 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104505433A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 郭喜;李忠贺;林立;刘佳星;巩爽 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人: | 吴永亮 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种硫化镉芯片及其表面钝化层的制作方法,用以解决目前硫化镉芯片制作工艺较为复杂的问题。该方法区别于传统物理、化学、淀积钝化层制备工艺,首次应用光敏型聚酰亚胺胶,该方法包括:在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶,将涂覆聚酰亚胺胶的硫化镉芯片进行前烘,对硫化镉芯片的正、负电极接触孔处进行曝光,将曝光后的硫化镉芯片放入显影液中进行显影,得到硫化镉芯片表面的图形,将硫化镉芯片进行后烘,直至聚酰亚胺胶固化,得到附着在硫化镉表面的钝化层。这种新工艺方法可以简化大量的制备工艺步骤,提高硫化镉芯片的生产效率和可靠性,并且制得的硫化镉芯片的光电性能满足使用要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化 芯片 表面 钝化 制作方法 | ||
【主权项】:
一种硫化镉芯片表面钝化层的制作方法,其特征在于,包括:在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶;将涂覆所述聚酰亚胺胶的硫化镉芯片进行前烘;对所述硫化镉芯片的正、负电极接触孔处进行曝光;将曝光后的所述硫化镉芯片放入显影液中进行显影,以得到所述硫化镉芯片表面的图形;将所述硫化镉芯片进行后烘,直至所述聚酰亚胺胶固化,得到附着在所述硫化镉表面的钝化层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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