[发明专利]一种硫化镉芯片及硫化镉芯片表面钝化层的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410784546.0 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN104505433A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 郭喜;李忠贺;林立;刘佳星;巩爽 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心11010 代理人: 吴永亮
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种硫化镉芯片及其表面钝化层的制作方法,用以解决目前硫化镉芯片制作工艺较为复杂的问题。该方法区别于传统物理、化学、淀积钝化层制备工艺,首次应用光敏型聚酰亚胺胶,该方法包括:在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶,将涂覆聚酰亚胺胶的硫化镉芯片进行前烘,对硫化镉芯片的正、负电极接触孔处进行曝光,将曝光后的硫化镉芯片放入显影液中进行显影,得到硫化镉芯片表面的图形,将硫化镉芯片进行后烘,直至聚酰亚胺胶固化,得到附着在硫化镉表面的钝化层。这种新工艺方法可以简化大量的制备工艺步骤,提高硫化镉芯片的生产效率和可靠性,并且制得的硫化镉芯片的光电性能满足使用要求。
搜索关键词: 一种 硫化 芯片 表面 钝化 制作方法
【主权项】:
一种硫化镉芯片表面钝化层的制作方法,其特征在于,包括:在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶;将涂覆所述聚酰亚胺胶的硫化镉芯片进行前烘;对所述硫化镉芯片的正、负电极接触孔处进行曝光;将曝光后的所述硫化镉芯片放入显影液中进行显影,以得到所述硫化镉芯片表面的图形;将所述硫化镉芯片进行后烘,直至所述聚酰亚胺胶固化,得到附着在所述硫化镉表面的钝化层。
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