[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层、导电图案以及第一电极与第二电极。栅极位于基板上。栅绝缘层位于基板上，以覆盖栅极。半导体层位于栅绝缘层上。导电图案位于半导体层上。第一电极与第二电极位于半导体层上，第一电极与第二电极之间具有第一长度，第一电极为源极与漏极中一者，以及第二电极为源极与漏极中另一者。导电图案与第一电极电性连接，导电图案与第二电极之间具有第二长度，以定义出通道，其中第二长度小于第一长度。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在一基板上形成一栅极；在该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极；在该栅绝缘层上形成一半导体层；在该半导体层上形成一导电图案；以及在该半导体层上形成一第一电极与一第二电极，该第一电极与该第二电极之间具有一第一长度，该第一电极为一源极与一漏极中一者，以及该第二电极为该源极与该漏极中另一者，该导电图案与该第一电极电性连接，该导电图案与该第二电极之间具有一第二长度，以定义出一通道，其中该第二长度小于该第一长度。