[发明专利]一种MOSFET的并联电路有效
| 申请号： | 201410706984.5 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104393861B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 许浩;孔庆刚;宋中奇;吴志敢 | 申请（专利权）人： | 大连尚能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/16 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 116600 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，至少在其中的一个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器，电容器的电容值范围为100pF‑1uF，多个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器为并联，本发明可以保重驱动开通的一致性，也增强了电路的抗干扰性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 并联 电路 | ||
【主权项】：
一种MOSFET的并联电路，包括一组并联的MOSFET，其特征在于：各MOSFET的栅极与一电阻串接；在多个MOSFET的栅极与源极之间串接电容器，电容器的电容值范围为100pF‑1uF，多个MOSFET栅极与源极之间串接的电容器为并联；电容器均匀串接在并联的MOSFET电路中，各个电容器的电容值相同，一个串接了电容器的MOSFET，与其不同侧且相邻的两个串接了电容器的MOSFET所间隔的MOSFET的数量相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连尚能科技发展有限公司，未经大连尚能科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410706984.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
