[发明专利]硅通孔内壁均匀涂覆绝缘层的方法有效
申请号: | 201410635084.6 | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN104465498B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 范俊;黄小花;王晔晔;沈建树;翟玲玲;钱静娴 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/31 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所32212 | 代理人: | 盛建德,段新颖 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种硅通孔侧壁均匀涂覆绝缘层的方法,通过清洗工序洁净晶圆表面及硅通孔内部,预先在晶圆表面及晶圆硅通孔内旋转涂布可溶解高性能聚合物材料的有机溶剂,再用旋转涂布的方式涂布高性能聚合物材料,使高性能聚合物材料在有机溶剂的作用下扩散均匀,实现硅通孔侧壁均匀涂布绝缘层。该方法能够实现在标准旋涂设备上,用一般工艺常温下在晶圆表面和晶圆硅通孔侧壁及底部形成均匀的绝缘层,解决微米量级硅通孔三维均匀涂布难题,大大节省了设备成本,并提高了硅通孔绝缘层的均匀性,及绝缘层与其接触材料的结合力。 | ||
搜索关键词: | 硅通孔 内壁 均匀 绝缘 方法 | ||
【主权项】:
一种硅通孔内壁均匀涂覆绝缘层的方法,其特征在于,步骤如下:a、提供一具有深宽比大于等于2:1的微米量级硅通孔的待涂布晶圆和一旋转涂布机台,将晶圆安置于旋转涂布机台的作业平台上,并使晶圆表面上硅通孔的孔口向上;b、在晶圆表面的中央位置添加一定量清洗剂与稀释剂的混合液,静置一段时间,使混合液浸润晶圆表面和硅通孔内的侧壁与底部;c、启动旋转涂布机台,使晶圆以设定的第一转速旋转数秒,甩去晶圆表面的部分混合液并带走晶圆表面和硅通孔内的脏污,再静置数秒,静置期间补充一定量的混合液;d、循环步骤c数次后,以设定的第一转速旋转甩去晶圆上的混合液;e、在晶圆表面的中央位置添加一定浓度的有机溶剂,以第一转速旋转晶圆数秒,使有机溶剂均匀分布到硅通孔内的侧壁与底部,再静置数秒;f、循环步骤e数次,完成对晶圆表面、硅通孔内的侧壁与底部的预处理;g、在晶圆表面的中央位置添加具有一定粘度和绝缘性能的高性能聚合物材料并静置一段时间;h、待高性能聚合物材料向外扩展一定范围后,使晶圆以大于第一转速的第二转速旋转一段时间,铺展开高性能聚合物材料;i、以大于第二转速的第三转速旋转一段时间,以调整晶圆表面、硅通孔内的侧壁与底部的高性能聚合物材料的厚度;j、去除有机溶剂和高性能聚合物材料中的部分溶剂,并固化高性能聚合物材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技(昆山)电子有限公司,未经华天科技(昆山)电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410635084.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造