[发明专利]一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺有效
| 申请号： | 201410554795.0 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104332393A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张巍;单光宝;袁海;刘松 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;G03F7/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，包括如下步骤，首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层；接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜，一次低速涂覆厚层光刻胶，二次高速涂覆薄层光刻胶，两次烘焙的时间和温度依据上下两层胶层的厚度比例而变化，底层胶层累计烘焙时间和表层胶层烘焙时间之比为两者厚度之比；然后进行曝光、显影和坚膜工艺制备RDL电镀掩膜。通过调整两次涂胶的参数和烘焙的条件，确保厚胶层均匀性和光刻分辨率，再通过强曝光、速显影、低温长时间坚膜，制作出了高精度、侧壁陡直、厚度更大、均匀性更高的掩膜，可用于电镀高于20μm以上且外形规整的RDL互连线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 tsv 立体 集成 rdl 电镀 工艺 | ||
【主权项】：
一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，其特征在于：包括如下步骤，首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层；接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜，一次低速涂覆厚层光刻胶，二次高速涂覆薄层光刻胶，两次烘焙的时间和温度依据上下两层胶层的厚度比例而变化，底层胶层累计烘焙时间和表层胶层烘焙时间之比为两者厚度之比；然后进行曝光、显影和坚膜工艺制备RDL电镀掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
