[发明专利]一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410541481.7 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105575762B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 胡春周 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，该方法采用控片代替制程晶圆制作适当的含有硅化物的磷酸溶液，降低了生产成本；控片自带的氮化硅薄膜与磷酸反应生成用于抑制二氧化硅腐蚀的硅化物，有效避免了由于单独在磷酸中添加硅化物造成声场成本上升的问题；采用适当配比的磷酸与硫酸的混合溶液来去除控片中氮化硅腐蚀后在晶圆表面粘附的杂质，并以相同配比的磷酸和硫酸的混合溶液来清除制程晶圆表面杂质，使得晶圆表面无缺陷的情况下有效降低了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆表面 硅化物 磷酸 混合溶液 湿法刻蚀 控片 配比 制程 硫酸 腐蚀 氮化硅薄膜 二氧化硅 磷酸反应 磷酸溶液 氮化硅 粘附的 晶圆 良率 声场 自带 去除 生产成本 制作 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：(1)提供若干含二氧化硅和氮化硅薄膜的控片；(2)将所述控片浸于含有磷酸溶液的第一腐蚀槽中；(3)调节浸泡时间使得所述控片上的氮化硅薄膜被完全溶解；溶解于磷酸的氮化硅在所述第一腐蚀槽中形成硅化物以抑制磷酸对二氧化硅的腐蚀；(4)将若干含有二氧化硅和氮化硅薄膜的制程晶圆置于经步骤(3)中处理过的第一腐蚀槽中将氮化硅薄膜去除；(5)提供含有磷酸和硫酸溶液的第二腐蚀槽；(6)调节所述第二腐蚀槽中磷酸和硫酸的配比使得氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高；(7)将步骤(4)中的所述制程晶圆置于与步骤(6)中相同配比的磷酸和硫酸溶液中以去除所述制程晶圆表面的杂质，得到无缺陷的制程晶圆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410541481.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：茯苓袋料栽培方法
- 下一篇：沟槽型功率器件的制造方法和沟槽型功率器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
