[发明专利]沟槽型功率器件的制造方法和沟槽型功率器件有效
| 申请号： | 201410539247.0 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105575761B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型功率器件的制造方法和一种沟槽型功率器件，其中，沟槽型功率器件的制造方法包括：在硅片表面刻蚀沟槽，其中，所述沟槽的刻蚀方向为晶向[110]方向旋转45度。通过本技术方案，可以改变N型沟槽型功率器件侧面壁的晶向，从而提高N型沟槽型功率器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽型功率器件 晶向 制造 方向旋转 硅片表面 刻蚀方向 刻蚀沟槽 侧面壁 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：在硅片表面刻蚀第一沟槽，以得到刻蚀后的硅片，其中，所述第一沟槽的刻蚀方向为晶向[110]方向旋转45度；在所述刻蚀后的硅片上生长掩膜材料，以形成掩膜图形；使用干法刻蚀方法对形成掩膜图形的硅片进行刻蚀，形成第二沟槽；去除所述形成掩膜图形的硅片上的掩膜材料；在去除所述掩膜材料的硅片的表面制备多晶硅层；对所述多晶硅层进行热氧化，以使所述多晶硅层全部反应生成氧化层；去除所述氧化层；对去除所述氧化层的硅片进行热氧化，以形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
