[发明专利]多层绝缘薄膜的图形化方法及芯片的多层绝缘薄膜在审
| 申请号： | 201410513166.3 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104217927A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 徐琦;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多层绝缘薄膜的图形化方法及芯片的多层绝缘薄膜。本发明提供的方法，包括：在所制备的半导体晶片的衬底表面蒸镀掩膜层；去除部分所述掩膜层，形成掩膜层图形，露出部分所述衬底；在所述半导体晶片表面蒸镀多层绝缘薄膜，所述多层绝缘薄膜覆盖所述掩膜层图形和部分所述衬底；去除所述掩膜层图形和所述掩膜层图形上覆盖的多层绝缘薄膜，保留部分所述衬底上的多层绝缘薄膜，使得所述半导体晶片表面在所述掩膜层图形的位置形成凹坑。本发明提供的方法解决了现有技术对芯片表面的多层绝缘薄膜进行图形化的过程，由于多层绝缘薄膜片间刻蚀不均匀、难以满足对多种材料的刻蚀选择比的调制，而导致刻蚀均匀性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 绝缘 薄膜 图形 方法 芯片 | ||
【主权项】：
一种多层绝缘薄膜的图形化方法，其特征在于，包括：在所制备的半导体晶片的衬底表面蒸镀掩膜层；去除部分所述掩膜层，形成掩膜层图形，露出部分所述衬底；在所述半导体晶片表面蒸镀多层绝缘薄膜，所述多层绝缘薄膜覆盖所述掩膜层图形和部分所述衬底；去除所述掩膜层图形和所述掩膜层图形上覆盖的多层绝缘薄膜，保留部分所述衬底上的多层绝缘薄膜，使得所述半导体晶片表面在所述掩膜层图形的位置形成凹坑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司，未经圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410513166.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：提供热点给服务器控制区域内的用户装置
- 下一篇：一种通信方法及设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
