[发明专利]研磨方法

摘要

一种研磨方法，使对研磨垫(10)进行支承的研磨台(30)旋转，将表面形成有导电性膜的基板(W)按压到研磨垫上而对导电性膜进行研磨，在对导电性膜的研磨中，通过配置在研磨台(30)内部的涡电流式膜厚传感器(60)获取随所述导电性膜的厚度而变化的膜厚信号，基于膜厚信号确定研磨垫的厚度，确定与研磨垫(10)的厚度对应的导电性膜的研磨速率，算出以该研磨速率对导电性膜研磨了规定研磨时间(Tb)时的预计研磨量，在导电性膜的目标厚度上加上预计研磨量而算出临时的终点膜厚，当从导电性膜的厚度到达临时的终点膜厚的时刻经过了规定研磨时间时，结束对导电性膜的研磨。采用本发明，可将导电性膜更高精度地研磨至目标厚度。

主权项

一种研磨方法，其特征在于，使对研磨垫进行支承的研磨台旋转，一边将含有磨料的研磨液供给到所述研磨垫，一边将表面形成有导电性膜的基板按压到所述研磨垫上而对所述导电性膜进行研磨，在对所述导电性膜的研磨中，通过配置在所述研磨台的内部的涡电流式膜厚传感器获取膜厚信号，所述膜厚信号根据所述导电性膜的厚度而变化，在对所述导电性膜的研磨中，基于所述膜厚信号而确定所述研磨垫的厚度，确定与所述研磨垫的厚度对应的所述导电性膜的研磨速率，算出以所述研磨速率对所述导电性膜研磨了规定研磨时间时的预计研磨量，在所述导电性膜的目标厚度加上所述预计研磨量而算出临时的终点膜厚，当从所述导电性膜的厚度到达所述临时的终点膜厚的时刻经过了所述规定研磨时间时，结束对所述导电性膜的研磨。