[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：在衬底表面形成伪栅极膜；在伪栅极膜内掺杂离子，在伪栅极膜内形成掺杂区和未掺杂区，掺杂区的表面与伪栅极膜的表面齐平，未掺杂区位于掺杂区底部；在伪栅极膜内掺杂离子之后，刻蚀部分伪栅极膜直至暴露出衬底表面为止，在衬底表面形成伪栅极层；对伪栅极层的侧壁进行减薄，使未掺杂区的侧壁相对于掺杂区的侧壁凹陷；在对伪栅极层的侧壁进行减薄之后，在伪栅极层两侧的衬底内形成源漏区；在形成源漏区之后，在衬底表面形成介质层，介质层覆盖伪栅极层的侧壁，且介质层的表面与伪栅极层的表面齐平；去除伪栅极层，在介质层内形成第一开口；在第一开口内形成栅极。所形成的晶体管的性能提高。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底表面形成伪栅极膜；在所述伪栅极膜内掺杂离子，在所述伪栅极膜内形成掺杂区和未掺杂区，所述掺杂区的表面与所述伪栅极膜的表面齐平，所述未掺杂区位于所述掺杂区底部，所述掺杂区的厚度为150埃～200埃；在所述伪栅极膜内掺杂离子之后，刻蚀部分所述伪栅极膜直至暴露出衬底表面为止，在所述衬底表面形成伪栅极层，所述伪栅极层包括未掺杂区、以及位于未掺杂区表面的掺杂区；对所述伪栅极层的侧壁进行减薄，使所述未掺杂区的侧壁相对于掺杂区的侧壁凹陷；在对所述伪栅极层的侧壁进行减薄之后，在所述伪栅极层两侧的衬底内形成源漏区；在形成源漏区之后，在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极层的侧壁，且所述介质层的表面与所述伪栅极层的表面齐平；去除所述伪栅极层，在所述介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成栅极，此时，栅极的顶部表面与介质层的顶部表面齐平；平坦化所述栅极和介质层，使所述栅极和介质层的厚度减小，所述栅极和介质层减小的厚度分别等于所述掺杂区的厚度。