[发明专利]半导体设备的温度控制装置、控制系统及其控制方法有效
申请号: | 201410488132.3 | 申请日: | 2014-09-23 |
公开(公告)号: | CN104362076B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 刘俊豪;程朝阳;崔娟娟;马超 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种温度控制装置,包括硅片承载部,多个光加热部,测温部和温度控制部。硅片承载部包括工艺腔室、水平保持硅片的基座以及旋转该基座的旋转机构。多个光加热部向硅片射出加热光以在硅片表面形成多个加热区域,其包括平行分布于工艺腔室外部的上侧和下侧、在水平面方向相互垂直设置的多个第一线状线加热器和多个第二线状加热器;测温部包括多个用于测量各加热区域的温度的温度传感器,位于工艺腔室内对应于多个加热区域的位置。温度控制部根据多个温度传感器输出的温度值及各加热区域的目标温度控制各光加热部的输出功率。本发明可以实现对硅片快速升降温的精确控制,并能够保证硅片内各点的温度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 温度 控制 装置 控制系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种温度控制装置,其特征在于,包括:硅片承载部,其包括内部形成一封闭处理空间的工艺腔室、位于所述工艺腔室内用于水平保持硅片的基座以及旋转所述基座的旋转机构;多个光加热部,用于向所述硅片射出加热光以在所述硅片表面形成多个加热区域,其包括多个第一线状加热器和多个第二线状加热器,该第一线状加热器和第二线状加热器分别平行分布于所述工艺腔室外部的上侧和下侧、在水平面方向相互垂直设置;测温部,包括多个温度传感器,位于所述工艺腔室内对应于所述多个加热区域的位置,用于测量各所述加热区域的温度;温度控制部,根据所述多个温度传感器输出的温度值及各所述加热区域的目标温度控制所述多个光加热部的输出功率;其中所述基座包括基座本体和支撑体,所述基座本体用于容纳所述硅片,所述支撑体由所述旋转机构驱动并带动所述基座本体旋转;所述多个光加热部还包括多个点状加热灯,所述多个点状加热灯安装于所述工艺腔室外部、所述基座本体正下方且位于所述多个第二线状加热器的内侧环绕所述支撑体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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