[发明专利]多层场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410472615.4 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104241288A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;许鹏;周祥标;付超超 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种多层场效应晶体管及其制造方法。本发明中，将N个场效应晶体管采用上下堆叠的方式形成，能够在不增加芯片表面积的情况下，提高集成电路场效应晶体管的集成度，符合半导体技术发展的趋势，能够对量产起着较为重要的推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层场效应晶体管，其特征在于，包括：N个依次堆叠的场效应晶体管，第N‑1个场效应晶体管和第N个场效应晶体管之间由第M‑1层介质层隔离开，在所述第N个场效应晶体管上形成有第M层介质层，其中，N、M均为大于或等于2的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410472615.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阵列基板及其制造方法和显示面板
- 下一篇：一种集成电路及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
