[发明专利]一种快闪存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种快闪存储器的制造方法，包括在半导体衬底上刻蚀有源区和隔离区，半导体衬底由基底、牺牲层和掩模层依次层叠而成，在回刻掩模层和刻蚀牺牲层后的基底上形成衬垫层得到圆滑转角的半导体结构，在圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层，在绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区，部分移除隔离氧化物层和绝缘层直到隔离氧化物层和绝缘层与掩模层平齐为止，去除位于有源区的掩模层，露出与掩模层接触的牺牲层和部分绝缘层，去除露出的牺牲层和部分绝缘层露出有源区的基底，在露出的有源区的基底上依次形成隧道氧化物层和浮栅层。本发明能够防止隔离区的隔离氧化物对隧道氧化物和衬垫层的影响，从而提高快闪存储器的数据保持特性。 1

主权项

1.一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上刻蚀有源区和隔离区，其中，所述半导体衬底由基底、牺牲层和掩模层依次层叠而成；对所述掩模层进行回刻至所述牺牲层，并以剩余掩模层为掩模刻蚀所述牺牲层至所述基底；在回刻所述掩模层和刻蚀所述牺牲层后的所述基底上形成衬垫层，以得到圆滑转角的半导体结构，所述衬垫层的厚度处于50纳米～150纳米之间；在所述圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区；部分移除所述隔离氧化物层和所述绝缘层直到所述隔离氧化物层和绝缘层与所述掩模层平齐为止；去除位于有源区的所述掩模层，露出与所述掩模层接触的牺牲层和部分绝缘层；去除所述露出的牺牲层和部分绝缘层，露出有源区的基底；在所述露出的有源区的基底上形成隧道氧化物层；在所述隧道氧化物层上形成浮栅层；在所述圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层包括：采用高温氧化在隔离区沟槽侧壁的衬垫层、牺牲层和掩模层上均匀的形成一层绝缘层；去除所述露出的牺牲层和部分绝缘层，露出有源区的基底包括：用氢氟酸溶液同时去除所述露出的牺牲层和部分绝缘层，露出有源区的基底，所述牺牲层的材料为氧化硅。