[发明专利]一类新型含缺电子芳环的蒽类衍生物及制备方法与用途

摘要

本发明公开了一种含缺电子芳环的蒽类衍生物，其结构为，其中R₁和R₂独立地为缺电子芳环或吸电子基团，该类分子具有较好的电子迁移率，是一种性能和稳定性都很好的n型有机半导体材料，可以应用在OTFT、OPV、OLED等光伏器件中。该发明还公开了含缺电子芳环的蒽类衍生物的合成方法，首先以2,6-二溴蒽醌为原料制备了2,6-二溴-9,10-二甲氧基蒽，进一步通过suzuki偶联等方法在2,6-位引入缺电子芳环类结构，得到化合物2,6-二缺电子芳基-9,10-二甲氧基蒽；进一步制成9,10位为易离去基团的2,6-二缺电子芳基取代蒽衍生物，最后与氰化铜物反应得到目标含缺电子芳环的蒽类衍生物。

主权项

一种含缺电子芳环的蒽类衍生物，其特征在于该衍生物的结构如通式(I)式(I)中R₁和R₂独立地为吸电子基团或缺电子芳环；吸电子基团为氰基或三氟甲基；缺电子芳环结构为式(I‑a)，式(I‑b)，式(I‑c)，式(I‑d)，式(I‑e)，式(I‑f)，式(I‑j)，式(I‑h)，式(I‑i)，式(I‑j)，式(I‑k)，式(I‑1)，式(I‑m)，式(I‑n)，式(I‑o)，式(I‑p)，式(I‑q)或式(I‑r)中的任意一种，具体结构如下所示：其中，A₁，A₂，A₃，A₄，A₅，A₆，A₇，A₈，A₉，A₁₀，A₁₁，A₁₂，A₁₃，A₁₄，A₁₅，A₁₆，A₁₇，A₁₈，A1₉，A₂₀，A₂₁，A₂₂，A₂₃，A₂₄，A₂₅，A₂₆，A₂₇，A₂₈，A₂₉，A₃₀，A₃₁，A₃₂，A₃₃，A₃₄，A₃₅，A₃₆，A₃₇，A₃₈，A₃₉，A₄₀，A₄₁，A₄₂，A₄₃，A₄₄，A₄₅独立的为H，氰基或三氟甲基，“*”代表连接位置。