[发明专利]一种各向异性干法刻蚀VO2的方法

摘要

本发明公开了一种各向异性干法刻蚀VO2的方法，包括以下步骤a、提供SiN作为衬底；b、在所述衬底上磁控反应溅射形成VO2薄膜；c、在VO2薄膜表面进行SiN的生长，形成SiN掩膜；d、在所述SiN掩膜上涂覆光刻胶，将SiN掩膜图形化；e、依次对SiN掩膜和VO2薄膜进行反应离子刻蚀,其中，SiN掩膜和VO2薄膜均采用氟基气体进行刻蚀，在对VO2薄膜进行刻蚀的过程中通入O2；f、用干法去胶机去除残余光刻胶；g、进行清洗和甩干去除反应残余物。本发明解决了VO2薄膜干法刻蚀过程中产生的钻刻、形貌及关键尺寸难以有效控制的问题，增加了VO2敏感材料的有效面积，提高了探测器的探测率，及工艺的稳定性、重复性。

主权项

一种各向异性干法刻蚀VO2薄膜的方法，包括以下步骤：a、提供SiN作为衬底(1)；b、在所述衬底(1)上形成VO2薄膜(2)；c、在VO2薄膜(2)表面进行SiN的生长，形成SiN掩膜(3)；d、在所述SiN掩膜(3)上涂覆光刻胶(4)，将SiN掩膜(3)图形化；e、依次对SiN掩膜(3)和VO2薄膜(2)进行反应离子刻蚀,其中，SiN掩膜(3)和VO2薄膜(2)均采用氟原子与碳原子的气体流量配比小于4:1的氟基气体进行刻蚀，在对VO2薄膜(2)进行刻蚀的过程中通入O2；f、用干法去胶机去除残余光刻胶；g、进行清洗和甩干去除反应残余物；其中，在步骤e中，先采用氟原子与碳原子的气体流量配比小于4:1的氟基气体及氩气的混合气体对SiN掩膜(3)进行刻蚀，再采用氟原子与碳原子的气体流量配比小于4:1的氟基气体与氧气的混合气体对VO2薄膜(2)进行刻蚀；所述氟基气体及氩气的混合气体中，氟原子与碳原子的气体流量配比为4:1～3:1，氟原子与氩原子的气体流量配比为2:1～3:1；在所述氟基气体与氧气的混合气体中，氟原子与碳原子的气体流量配比为4:1～2:1，氟原子与氧气的气体流量配比为1:2～1:3。