[发明专利]还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统有效
申请号: | 201410443572.7 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN105366681B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 陈莉娜;宋高杰;张旭;江庆云;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 新特能源股份有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 罗建民,邓伯英 |
地址: | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | 本发明公开了一种还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统,还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法,包括以下步骤(1)将多晶硅生产中的还原生产多晶硅回收的氯硅烷经过一级精馏,再经过二级精馏,其中,一级精馏过程得到四氯化硅,二级精馏过程得到二氯二氢硅;(2)将一级精馏过程得到的四氯化硅和二级精馏过程得到的二氯二氢硅经过第一反歧化反应,得到三氯氢硅。该方法直接将还原生产多晶硅回收的氯硅烷分离出的二氯二氢硅与分离出来的四氯化硅经过第一反歧化反应,得到精制的三氯氢硅,该精制的三氯氢硅不需要再经过5~6级的精馏提纯,可直接用于生产多晶硅,降低了能耗,减轻了精馏负荷。 | ||
搜索关键词: | 还原 生产 多晶 回收 硅烷 处理 方法 装置 中的 系统 | ||
【主权项】:
一种多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法,其特征在于,包括还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和冷氢化合成得到的氯硅烷的处理方法,还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法包括以下步骤:(1)将多晶硅生产中的还原生产多晶硅回收的氯硅烷经过一级精馏,再经过二级精馏,其中,所述一级精馏过程得到四氯化硅,所述二级精馏过程得到二氯二氢硅;(2)将所述一级精馏过程得到的四氯化硅和所述二级精馏过程得到的二氯二氢硅经过第一反歧化反应,得到三氯氢硅;冷氢化合成得到的氯硅烷的处理方法包括以下步骤:(1)将多晶硅生产中的冷氢化合成得到的氯硅烷经过一级粗馏,再经过二级粗馏,其中,所述二级粗馏过程得到二氯二氢硅;(2)将多晶硅生产中的还原生产多晶硅回收的氯硅烷经过一级精馏过程得到的四氯化硅和所述多晶硅生产中的冷氢化合成得到的氯硅烷经过二级粗馏过程得到的二氯二氢硅,经过第二反歧化反应,得到三氯氢硅。
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