[发明专利]含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件有效
申请号: | 201410439791.8 | 申请日: | 2014-08-30 |
公开(公告)号: | CN104262282A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 尹恩心;林文晶 | 申请(专利权)人: | 上海珂力恩特化学材料有限公司 |
主分类号: | C07D265/34 | 分类号: | C07D265/34;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 南小平 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件。解决现有聚合物的发蓝光的EL器件具有色纯度低、驱动电压高、效率低的技术问题。含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料是以2-溴代苯酚和1-碘-2-硝基苊为原料反应生成5-(2-溴苯氧基)-4-苊基胺;再与含R取代基团的酸酐反应生成N-(5-(2-溴苯氧基)-4-苊基)-4-苯甲基甲酰胺;继续合环反应制得。制得的材料具有高的发光效率,表明该化合物可作为发光材料或发光主体材料,尤其是可以作为磷光蓝色主体材料,用于有机电致发光器件中表现出高效率、高亮度、长寿命,具有制造成本较低的优点,降低了有机电致发光器件的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 吩恶嗪 半导体材料 及其 制备 方法 材料 制成 有机 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种含茚并吩恶嗪的蓝光半导体材料,其特征在于,该材料的结构表达式为:
式(I)中,R为苯基、对甲苯基或萘基。
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