[发明专利]一种掺杂二氧化锡导电纳米粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201410431543.9 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104150528A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 周才龙;李玉峰 | 申请（专利权）人： | 攀枝花学院 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 梁鑫 |
| 地址： | 617000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料领域，尤其涉及一种掺杂二氧化锡导电纳米粉体的制备方法。本发明的特点是采用水热法制备纳米粉体。本发明方法包括以下步骤：取草酸亚锡，在冰水浴条件下，加入双氧水，体系反应形成透明溶液后加入水，在溶液中加入含氟或锑的材料作为掺杂剂，混匀后通过水热处理、洗涤、干燥得到掺杂二氧化锡导电纳米粉体。本发明无须高温煅烧即可得到粒径均匀、分散性好、纯度高的掺杂二氧化锡导电纳米粉体，该工艺原料易得、流程极其简单、高效、重现性好，有利于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 导电 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂二氧化锡导电纳米粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：取草酸亚锡，在冰水浴条件下加入双氧水，体系反应形成透明溶液后加入水，再加入含氟或锑掺杂剂，混匀，水热处理后，洗涤、干燥即可。
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