[发明专利]一种低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法有效
| 申请号： | 201410421710.1 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN104222715B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 曾新安;刘志伟;韩忠;王启军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | A61L2/03 | 分类号： | A61L2/03;A23L5/30;A23L3/00;A23L3/36 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，包括如下步骤(1)取新鲜的液体样品；(2)先将液体样品进行程序降温贮藏在13～17℃下贮藏1～2h，然后将温度降至3～7℃贮藏1～2h；(3)将液体样品升温至35～40℃，立即进行脉冲电场处理。本发明能在较低的脉冲电场强度下达到有效杀灭单增李斯特菌的效果，更加高效，安全，节能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 应激 强化 脉冲 电场 杀灭 李斯特 方法 | ||
【主权项】：
一种低温应激强化脉冲电场杀灭单增李斯特菌的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取新鲜的液体样品；(2)先将液体样品进行程序降温贮藏：在13～17℃下贮藏1～2h，然后将温度降至3～7℃贮藏1～2h；(3)将液体样品升温至35～40℃，立即进行脉冲电场处理。
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