[发明专利]自对准多重图形掩膜的形成方法

摘要

一种自对准多重图形掩膜的形成方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的待刻蚀层；在待刻蚀层表面依次形成牺牲膜、第一掩膜和第二掩膜；刻蚀部分第二掩膜、第一掩膜和牺牲膜，直至暴露出待刻蚀层表面为止，在待刻蚀层的第一区域表面形成第一掩膜结构，在待刻蚀层的第二区域表面形成第二掩膜结构，第一掩膜结构包括第一牺牲层、第一掩膜层和第二掩膜层，第二掩膜结构包括第二牺牲层、第三掩膜层和第四掩膜层；去除第一掩膜层，并减小第三掩膜层的尺寸；之后，在第一牺牲层的侧壁表面形成第一侧墙掩膜，在第二牺牲层和第三掩膜层的侧壁表面形成第二侧墙掩膜；在刻蚀第一掩膜层和第三掩膜层之后，去除第四掩膜层和第一牺牲层。

主权项

1.一种自对准多重图形掩膜的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层具有第一区域和第二区域；在所述待刻蚀层表面形成牺牲膜、第一掩膜和第二掩膜，所述第一掩膜位于牺牲膜的表面，所述第二掩膜位于第一掩膜表面；刻蚀部分所述第二掩膜、第一掩膜和牺牲膜，直至暴露出待刻蚀层表面为止，在待刻蚀层的第一区域表面形成第一掩膜结构，在待刻蚀层的第二区域表面形成第二掩膜结构，所述第一掩膜结构投影于待刻蚀层表面的图形具有第一尺寸，所述第二掩膜结构投影于待刻蚀层表面的图形具有第二尺寸，所述第二尺寸大于第一尺寸，所述第一掩膜结构包括由所述牺牲膜刻蚀形成的第一牺牲层、由第一掩膜刻蚀形成的第一掩膜层、以及由第二掩膜刻蚀形成的第二掩膜层，所述第二掩膜结构包括由所述牺牲膜刻蚀形成的第二牺牲层、由第一掩膜刻蚀形成的第三掩膜层、以及由第二掩膜刻蚀形成的第四掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层和第三掩膜层，去除所述第一掩膜层，并使所述第三掩膜层投影于待刻蚀层表面的图形尺寸减小；在刻蚀所述第一掩膜层和第三掩膜层之后，在第一牺牲层的侧壁表面形成第一侧墙掩膜，在第二牺牲层和第三掩膜层的侧壁表面形成第二侧墙掩膜；在刻蚀所述第一掩膜层和第三掩膜层之后，去除所述第四掩膜层；在形成所述第一侧墙掩膜和第二侧墙掩膜之后，去除所述第一牺牲层。