[发明专利]半导体元件微量元素检测样品的制备方法及检测方法有效
| 申请号： | 201410359474.5 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104155390A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 邵京京;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01N30/06 | 分类号： | G01N30/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体元件微量元素检测样品的制备方法及检测方法。该制备方法包括：对检测样品进行铸模处理；切割铸模完成的检测样品，使切割面接近待分析区域；对所述切割面进行抛光处理，使得待分析区域暴露出来；将所述检测样品送入TOF-SIMS高真空室内，利用离子枪对所述检测样品切割面进行清理以去除切割和抛光过程中吸附在切面的杂质。这保证了检测样品制备过程中没有引入新的污染物，通过一系列的抛光和清理步骤以后，检测样品界面可以真实反映出样品内部的情况。该检测方法通过TOF-SIMS对制得的检测样品进行表面分析可以给出样品深层切面的真实元素分布信息，从而实现了对深层微量元素的有效检测。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 微量元素 检测 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件微量元素检测样品的制备方法，该方法包括：对检测样品进行铸模处理；切割铸模完成的检测样品，使切割面接近待分析区域；对所述切割面进行抛光处理，使得待分析区域暴露出来；将所述检测样品送入TOF‑SIMS高真空室内，利用离子枪对所述检测样品切割面进行清理以去除切割和抛光过程中吸附在切面的杂质。
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