[发明专利]一种RDL布线层的制备方法在审
| 申请号： | 201410345835.0 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104124205A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄莉;薛海韵;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 路凯;胡彬 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道20*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RDL布线层的制备方法，包括：采用光刻技术，对衬底上的光刻胶层进行曝光，以形成剩余光刻胶层图形，其中，所述剩余光刻胶层图形的底部出现钻蚀；对所述剩余光刻胶层图形进行刻蚀修饰，去除所述剩余光刻胶层图形上的钻蚀，以形成重布线层图形和光刻胶衬底图形；电镀金属以形成重布线层线条，并去除所述光刻胶衬底图形。本发明提供的一种RDL布线层的制备方法，通过刻蚀修饰剩余光刻胶层图形，以去除钻蚀，再电镀金属，形成了RDL布线层，具有工艺成本降低、改善器件性能和制备出良好的细线宽线距RDL布线层的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rdl 布线 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种RDL布线层的制备方法，其特征在于，包括：采用光刻技术，对衬底上的光刻胶层进行曝光，以形成剩余光刻胶层图形，其中，所述剩余光刻胶层图形的底部出现钻蚀；对所述剩余光刻胶层图形进行刻蚀修饰，去除所述剩余光刻胶层图形上的钻蚀，以形成重布线层图形和光刻胶衬底图形；电镀金属以形成重布线层线条，并去除所述光刻胶衬底图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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