[发明专利]场效应晶体管SOA曲线的验证平台及测试方法有效
| 申请号： | 201410339047.0 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104090223B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛 | 申请（专利权）人： | 西安芯派电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明场效应晶体管SOA曲线的验证平台，包括控制单元、监控单元和功率源；控制单元包括单片机，开关，依次连接的第一运放和第二运放，以及待测器件源极接入端连接的阻值为1R的精密功率电阻；监控单元的输入端分别接入漏极电压和精密功率电阻的压降；单片机的串行输入口连接一端接地的开关，串行输出口通过第二电阻连接第一运放的反向输入端，第一运放的输出端连接第二运放的反向输入端，第二运放的输出端通过第七电阻连接待测器件的栅极接入端；第一运放的输出端连接可变电阻的一个固定端，另一固定端接地，调节端通过第四电阻连接在第二运放的反向输入端。基于本发明所述验证平台的SOA曲线的测试方法，步骤如下，预设值；测试。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 soa 曲线 验证 平台 测试 方法 | ||
【主权项】：
场效应晶体管SOA曲线的验证平台，其特征在于，包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测器件(DUT)提供漏极电压(VD)的功率源；所述的控制单元包括用于输出脉冲时间的单片机(U1)，用于控制平台启动的开关(B1)，依次连接的第一运放(U2)和第二运放(U3)，以及待测器件(DUT)源极接入端连接的阻值为1R的精密功率电阻(R6)；所述的监控单元的输入端分别接入漏极电压(VD)和精密功率电阻(R6)的压降；所述单片机(U1)的串行输入口连接一端接地的开关(B1)，串行输出口通过第二电阻(R2)连接第一运放(U2)的反向输入端，第二运放(U3)的输出端通过第七电阻(R7)连接待测器件(DUT)的栅极接入端；第一运放(U2)的输出端通过可变电阻(RV1)，并经可变电阻(RV1)的调节端，然后通过第四电阻(R4)连接第二运放(U3)的反向输入端；所述的单片机(U1)的复位端连接复位电路，复位电路由串联在复位端的第一电阻(R1)和第一电容(C1)组成，第一电阻(R1)和第一电容(C1)连接端接地设置；第一运放(U2)的反向输入端和输出端之间设置第一滤波电路；第一滤波电路由并联设置在第一运放(U2)的反向输入端和输出端之间的第三电阻(R3)和第三电容(C3)组成。
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