[发明专利]测量激光器内量子效率和内损耗的方法有效
| 申请号： | 201410307562.0 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104062575B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;龚谦;柳庆博;曹春芳;成若海;严进一;李耀耀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01M11/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤S1在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，改变激光器自身的输出功率；S3测量不同反馈强度下激光器的电流‑功率关系，得到多条I‑P曲线；S4由所述I‑P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5通过外微分量子效率与外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出激光器的内量子效率和内损耗。本发明具有只需要测试一个激光器的特点，从而消除了多个激光器测量带来的离散误差，同时带来方便、快捷、成本低、可靠性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 激光器 量子 效率 损耗 方法 | ||
【主权项】：
一种测量激光器内量子效率和内损耗的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一双面出光半导体激光器，在所述半导体激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将所述半导体激光器的腔面与所述外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变所述外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，从而改变所述等效腔面的反射率及所述半导体激光器自身的输出功率；S3：测量不同反馈强度下所述半导体激光器的电流‑功率关系，得到多条斜率不同的I‑P曲线；S4：由所述I‑P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5：通过所述外微分量子效率与所述外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出所述激光器的内量子效率和内损耗。
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