[发明专利]一种制造快闪存储器的方法

摘要

本发明公开了一种制造快闪存储器的方法，包括：在半导体衬底上刻蚀隔离区和有源区；在该刻蚀后的半导体衬底上依次形成第一衬垫氧化硅层和第二衬垫氧化硅层，并对所述第二衬垫氧化硅层进行致密化处理，以形成半导体衬底结构，其中，所述第二衬垫氧化硅层采用高温氧化法形成；在所述半导体衬底结构上形成隔离氧化硅层，以得到半导体结构；对所述半导体结构进行回刻；在该回刻后的半导体结构上依次形成隧道氧化硅层和浮栅层。本发明提供的一种制造快闪存储器的方法，采用高温氧化法形成第二衬垫氧化硅层并致密化处理，使有源区只有一次损耗和隔离氧化硅层免受损耗，实现了降低有源区和浮栅层间距，达到了提高器件性能和减小快闪存储器尺寸的效果。

主权项

1.一种制造快闪存储器的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上刻蚀隔离区和有源区；在该刻蚀后的半导体衬底上依次形成第一衬垫氧化硅层和第二衬垫氧化硅层，并对所述第二衬垫氧化硅层进行致密化处理，以形成半导体衬底结构，在形成所述第二衬垫氧化硅层之前去除所述第一衬垫氧化硅层，并对所述有源区的转角进行圆角化处理，其中，所述第二衬垫氧化硅层采用高温氧化法沉积形成，所述半导体衬底由硅衬底和在其上依次形成的牺牲氧化硅层和掩膜氮化硅层构成；在所述半导体衬底结构上形成隔离氧化硅层，以得到半导体结构；对所述半导体结构进行回刻；在该回刻后的半导体结构上依次形成隧道氧化硅层和浮栅层。