[发明专利]一种STT-MRAM存储单元在审
| 申请号： | 201410306563.3 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104134456A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 胡少坚;王全;陈寿面;任铮;郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种STT-MRAM存储单元，将STT-MRAM存储单元的晶体管设计为具有独立双栅的FinFET形式，Fin两侧的二个栅极分别与Fin的源、漏区构成一个MOS器件，二个MOS器件共享源、漏区，二个栅极互为背栅，可分别控制Fin开启或关闭导电沟道，本发明利用具有独立双栅的FinFET器件的栅控特性，在一个FinFET器件里面构成两个MOS结构，实现STT-MRAM存储单元所需要的较小读电流和较大的写电流，可有效提高STT-MRAM的读写稳定性，并使器件的尺寸在相同的驱动电流条件下得到了进一步缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 stt mram 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种STT‑MRAM存储单元，包括磁隧道结和选择晶体管，其特征在于，所述晶体管为鳍式场效晶体管，所述鳍式场效晶体管包括1个形成于衬底上的硅体鳍结构和相互独立的二个栅极，所述鳍的两端具有源、漏区，二个所述栅极分别位于所述源、漏区之间的所述鳍的两侧，二个所述栅极分别与所述鳍的所述源、漏区构成一个MOS器件，其中一个所述MOS器件的所述栅极连接所述STT‑MRAM存储单元的读字线端，另一个所述MOS器件的所述栅极连接所述STT‑MRAM存储单元的写字线端，所述鳍的漏区端连接所述磁隧道结的一端，所述鳍的源区端连接所述STT‑MRAM存储单元的地线，所述磁隧道结的另一端连接所述STT‑MRAM存储单元的位线；其中，二个所述MOS器件的所述栅极互为背栅，二个所述栅极可分别控制所述鳍开启或关闭导电沟道。
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