[发明专利]LTCC基板空腔结构缺陷的控制方法有效
| 申请号： | 201410289414.0 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104103525B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 林奈;谢义水;阎德劲;冯刚英 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/00 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种LTCC基板空腔结构缺陷的控制方法，旨在提供一种解决常规工艺流程中LTCC基板收缩、翘曲和空腔变形缺陷不能同时控制的问题的工艺方法。本发明通过下述技术方案予以实现首先将带空腔的生瓷片通过自动叠层机或者销钉定位与底层生瓷片叠层在一起，通过温水等静压进行第一次层压；层压完成后在空腔内部填充碳基牺牲材料，再与顶层生瓷片和底部约束层叠层在一起，通过温水等静压进行第二次层压；随后，放在烧结炉中的多孔板上进行共烧，将腔体内牺牲材料完全挥发后，再在顶部依次放上多孔板和压力板，烧结至850～900℃，完成带封闭空腔的LTCC基板制作。 | ||
| 搜索关键词： | ltcc 空腔 结构 缺陷 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种LTCC基板空腔结构缺陷的控制方法，其特征在于包括如下步骤：首先将带空腔结构生瓷片通过自动叠层机或者销钉定位与底层生瓷片叠层在一起，通过温水等静压进行第一次层压；层压完成后在空腔内部填充碳基牺牲材料，再与顶层生瓷片和底部约束层叠层在一起，通过温水等静压进行第二次层压；随后，放在烧结炉中的多孔板上进行共烧，将腔体内牺牲材料完全挥发后，再在顶部依次放上多孔板和压力板，烧结至850～900℃，完成带封闭空腔的LTCC基板制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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