[发明专利]一种基于DICE单元的新型抗SEU加固的SR锁存器

摘要

本发明公开了一种基于DICE单元的新型抗SEU加固的SR锁存器，包括抗单粒子反转（Single Event Upset，SEU）加固和抗多节点反转（Multiple Node Upset,MBU）加固。该方案基于DICE单元实现SR锁存器功能，可以配置为正、负逻辑SR锁存器。本发明通过外部逻辑扩展可以改变为任何已知形式的锁存器或触发器。本发明可以作为存储器或抗辐射的存储器。本发明可以用于将不抗辐射的电路扩展为抗辐射的电路。本发明特有的控制PMOS管，通过PMOS管的关断来隔离SEU错误向相邻节点的传播，避免发生多节点反转，提高SR锁存器的SEU加固能力，提高集成电路的抗SEU能力。

主权项

一种基于DICE单元的新型抗SEU加固的SR锁存器，其特征在于：包括基于DICE的SR锁存器单元，其用来锁存输入信号状态；反相器控制PMOS单元，其用来控制基于DICE的SR锁存器单元中的反相器的反馈回路的通断；控制逻辑产生单元，其用来产生反相器控制PMOS单元所需的输入控制信号。