[发明专利]玻璃钝化二极管芯片及其制作方法在审
申请号: | 201410270013.0 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN104008970A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 李建利;黄亚发 | 申请(专利权)人: | 安徽芯旭半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L29/861 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 247000 安徽省池州市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种玻璃钝化二极管芯片及其制作方法,包括:提供一PN结衬底,PN结衬底包括有第一沟槽,且第一沟槽使PN结衬底形成有至少一个台面;在第一沟槽内形成玻璃钝化层,玻璃钝化层与台面齐平;通过光刻工艺曝光显影,并在玻璃钝化层的中央区域进行刻蚀,以形成贯穿玻璃钝化层的第二沟槽;在PN结衬底上形成电极,沿第二沟槽切割得到至少一个玻璃钝化二级管芯片。通过刻蚀玻璃钝化层而形成第二沟槽,避免了出现第二沟槽的槽底残留玻璃的情况,进而提高了切割效率。本发明提供的玻璃钝化二级管芯片,在台面的边缘区域没有多余的环状玻璃,避免了在封装焊接时,环状玻璃与金属引线接触而产生封装结构应力,进而降低产品可靠性的情况出现。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 钝化 二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种玻璃钝化二极管芯片制作方法,其特征在于,包括:提供一形成有第一沟槽的PN结衬底,所述第一沟槽使所述PN结衬底形成有至少一个台面;在所述第一沟槽内形成玻璃钝化层,所述玻璃钝化层与所述台面齐平;通过光刻工艺曝光显影,并在设比例的盐酸和氢氟酸溶液、预设时间和预设温度条件下对所述玻璃钝化层的中央区域进行刻蚀,以形成贯穿所述玻璃钝化层的第二沟槽;在所述PN结衬底上形成电极,并沿所述第二沟槽切割后得到至少一个所述玻璃钝化二极管芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造