[发明专利]一种碳化硅/碳复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201410267615.0 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN105198435B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 黄政仁;姚秀敏;刘学建;陈忠明;陈健;杨晓;张辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/52;C04B35/622 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲,郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种碳化硅/碳复合材料及其制备方法,所述方法包括1)采用有机碳源和无机碳源作为复合碳源,与碳化硅、硼源均匀混合得到原料混合粉体;2)将步骤1)所得原料混合粉体成型制得素坯;3)将步骤2)所得素坯,经过脱粘、烧成工艺,即得所述碳化硅/碳复合材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种致密的碳化硅/碳复合材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括:1)采用有机碳源和无机碳源作为复合碳源,与碳化硅、硼源均匀混合得到原料混合粉体,以混合粉体的总质量为100%计,所述碳源能产生的碳的含量为6~20%,硼源的含量为0.5‑1.0wt%,有机碳源产生的碳为复合碳源产生碳的重量的40‑85wt%;2)将步骤1)所得原料混合粉体成型制得素坯;3)将步骤2)所得素坯,经过600‑900℃脱粘、2000‑2200℃烧成工艺,即得所述致密的碳化硅/碳复合材料,所述碳化硅/碳复合材料致密度大于99%。
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