[发明专利]检测晶片的系统和方法有效
申请号: | 201410258203.0 | 申请日: | 2010-01-13 |
公开(公告)号: | CN104091766B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 阿杰亚拉里·阿曼努拉;葛汉成 | 申请(专利权)人: | 联达科技设备私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01N21/89 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 新加坡加冷盆地工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于晶片检测的方法和系统。系统包括光学检测头、晶片工作台、晶片堆栈、XY工作台和振动隔离器。光学检测头包括一些照明器、图像采集装置、物镜和其他光学元件。本系统和方法能够采集明场图像、暗场图像、3D图像和复查图像。采集的图像被转换为图像信号并传输至可编程的控制器中进行处理。检测在晶片移动的过程中进行。将采集的图像与参考图进行比较来发现晶片上的缺陷。本发明提供了一种用于生成优选参考图像的过程方法和一种优选的图片检测的过程方法。参考图的生成过程是自动进行的。 | ||
搜索关键词: | 检测 晶片 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种检测晶片的方法,用于当半导体晶片沿着扫描运动路径产生位移时,采集半导体晶片的图像,所述扫描运动路径随后定位位于检测面积内的所述半导体晶片的多个预定区域的每一块预定区域,所述方法包括:当所述半导体晶片沿着所述扫描运动路径产生位移时,定位一第一区域,所述第一区域位于所述半导体晶片的多个预定区域内,所述半导体晶片位于所述检测面积内;当在所述半导体晶片沿着所述扫描运动路径位移的期间内,所述半导体晶片的第一区域留在所述检测面积内时,执行半导体晶片扫描过程,所述半导体晶片扫描过程包括:在第一时间区间期间:(i)启动包括第一图像传感器的第一图像采集装置的曝光,(ii)在第一闪光或频闪灯提供的第一对比照明下,利用所述第一图像采集装置,在所述检测面积内的第一图像的采集位置采集半导体晶片的第一区域的第一图像,(iii)利用所述第一图像采集装置产生第一图像数据,以及(iv)在采集所述第一图像后,终止所述第一图像采集装置的曝光,以结束所述第一时间区间期间;在所述第一时间区间期间结束后立即开始的第二时间区间期间:(v)启动包括第二图像传感器的第二图像采集装置的曝光,(vi)在第二闪光或频闪灯提供的第二对比照明下,利用所述第二图像采集装置,在所述检测面积内的第二图像的采集位置采集半导体晶片的同一所述第一区域的第二图像,所述第一图像和所述第二图像的图像偏移,是因为所述半导体晶片在采集所述的第一图像的位置与采集所述的第二图像的位置之间在空间上位移一段预设的距离,(vii)利用所述第二图像采集装置产生第二图像数据,以及(viii)在采集所述第二图像后,终止所述第二图像采集装置的曝光,以结束所述第二时间区间;通过确定所述第一图像和所述第二图像之间的图像偏移,关联所述第一图像和所述第二图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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