[发明专利]在硅化物形成之前在触点蚀刻之后添加的电介质衬里

摘要

本发明涉及一种在硅化物形成之前在触点蚀刻之后添加的电介质衬里。一种用于形成MOS晶体管的方法(100)包含提供(101)包含半导体表面的衬底，所述半导体表面具有：栅极电极，其在所述半导体表面上的栅极电介质上；电介质间隔件，其在所述栅极电极的侧壁上；源极及漏极，其在所述半导体表面中在所述栅极电极的相对侧上；以及金属前电介质PMD层，其在所述栅极电极上方和源极及漏极区域上方。穿过所述PMD层形成(102)接触孔以形成到所述栅极电极的触点和到所述源极及所述漏极的触点。接着，在到源极及漏极的所述触点上且在所述PMD层的侧壁上沉积(103)触点蚀刻后电介质层。从所述触点选择性地去除(104)所述触点蚀刻后电介质层以在所述PMD层的侧壁上留下电介质衬里。在到所述源极及所述漏极的所述触点上形成(105)金属硅化物层。

主权项

1.一种用于形成金属氧化物半导体MOS晶体管的方法，其包括：提供包含半导体表面的衬底，所述半导体表面具有：栅极电极，其在所述半导体表面上的栅极电介质上；电介质间隔件，其在所述栅极电极的侧壁上；源极及漏极，其至少部分地在所述半导体表面中在所述栅极电极的相对侧上；以及金属前电介质PMD层，其在所述栅极电极上方和所述源极及所述漏极上方；穿过所述PMD层形成接触孔以形成到所述栅极电极的触点和到所述源极及所述漏极的触点；在所述形成之后在到所述栅极电极的所述触点以及到所述源极及所述漏极的所述触点上且在所述PMD层的侧壁上沉积触点蚀刻后电介质层；从到所述栅极电极的所述触点和到所述源极区域及所述漏极区域的所述触点选择性地去除所述触点蚀刻后电介质层以在所述PMD层的所述侧壁上形成电介质衬里，以及在所述接触孔中的每一者内形成金属硅化物层，所述金属硅化物层在所述侧壁上的所述电介质衬里之间延伸。