[发明专利]用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺

摘要

一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子体蚀刻可以在BARC和凹进的材料之间具有低选择性，从而使BARC和材料同时凹进。去除特定高度之上的任何材料。可以保护基本上位于特定高度下方的结构不受污染并保持完整。当使用的磨料在CMP期间与BARC形成醚键时，该方法可以特别有效。本发明涉及用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺。

主权项

一种制造集成电路器件的方法，包括：通过一系列操作处理半导体衬底以形成形貌可变表面，所述形貌可变表面包括位于所述表面上的材料的层，其中，所述层在所述衬底上的高度变化；在所述表面上方旋涂聚合物底部抗反射涂层(BARC)；通过烘烤在所述底部抗反射涂层中引发交联；化学机械抛光以去除所述底部抗反射涂层的第一部分；以及蚀刻以实现所述底部抗反射涂层与所述材料的层的自上而下凹进。