[发明专利]检测装置、其制造方法和放射线检测系统在审
| 申请号： | 201410232324.8 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104218046A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 川锅润;渡边实;横山启吾;大藤将人;藤吉健太郎;和山弘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01T1/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及检测装置、其制造方法和放射线检测系统。提供了包含像素的检测装置的制造方法。该方法包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形成对于各个像素分割的像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有像素电极的部分之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 装置 制造 方法 放射线 系统 | ||
【主权项】：
一种包含多个像素的检测装置的制造方法，包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形成对于各个像素分割的多个像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有所述多个像素电极的部分之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410232324.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
