[发明专利]基于纳米结构硼掺杂金刚石电极的电化学传感器的制备及应用有效
申请号: | 201410231367.4 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN104007157B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 卫敏;金华丽;谢岩黎 | 申请(专利权)人: | 河南工业大学 |
主分类号: | G01N27/327 | 分类号: | G01N27/327;G01N27/26 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司41109 | 代理人: | 霍彦伟 |
地址: | 450001 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于纳米结构硼掺杂金刚石电极的电化学传感器的制备及应用,具体涉及一种基于纳米结构硼掺杂金刚石电极制备方法及其用于有机磷农药残留快速检测的方法。要解决的技术问题是硼掺杂金刚石(BDD)电极电催化活性低、表面再造困难,选择性及灵敏性较差。本发明包括以下步骤①在硼掺杂金刚石电极上预沉积一层金纳米点作为掩膜;②在Ar/H2氛围中在硼掺杂金刚石表面刻蚀成纳米结构的形貌;③刻蚀硼掺杂金刚石表面,冷却,得到纳米结构硼掺杂金刚石电极。采用这样的技术方案后的本发明,改善电极性能,提高电极的灵敏度,并直接应用于对硫磷、甲基对硫磷等具有电化学特性的有机磷农药残留的检测。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 结构 掺杂 金刚石 电极 电化学传感器 制备 应用 | ||
【主权项】:
一种基于纳米结构硼掺杂金刚石电极的制备,其特征在于:它包括以下步骤:①首先在硼掺杂金刚石电极上预沉积一层3‑7nm 的金纳米点作为掩膜;②在Ar/H2氛围中,采用偏压辅助的微波等离子体刻蚀技术在硼掺杂金刚石表面刻蚀成纳米结构的形貌;③在200‑600℃的温度下刻蚀硼掺杂金刚石表面10‑60分钟,然后冷却到室温,取出,得到纳米结构硼掺杂金刚石电极,通过控制Au层聚集成不同直径及密度的纳米点,然后通过等离子刻蚀法可得到纳米须、纳米杆和纳米柱结构的硼掺杂金刚石电极。
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