[发明专利]一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法和电路在审
| 申请号： | 201410217084.4 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103985414A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 温靖康;刘桂云;吴介豫;鲍奇兵;许如柏 | 申请（专利权）人： | 辉芒微电子(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/10 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法，包括：选择执行擦除操作的存储单元邻近未选择区域内的一个存储单元作为待测存储单元；对所述待测存储单元进行阈值电压裕度检测，所述的阈值电压裕度检测包括两次电压比较；基于所述阈值电压裕度检测的结果对所述待测存储单元进行编程操作。本发明还构造了一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的电路。实施本发明的有益效果是，通过阈值电压裕度检测，克服了非易失性存储器Erase Stress的影响，使得存储器具有高可靠性和快的读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 克服 非易失性存储器 erase stress 影响 方法 电路 | ||
【主权项】：
—种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选择执行擦除操作的存储单元邻近未选择区域内的一个存储单元作为待测存储单元；S2、对所述待测存储单元进行阈值电压裕度检测，所述的阈值电压裕度检测包括两次电压比较；S3、基于所述阈值电压裕度检测的结果对所述待测存储单元进行编程操作。
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