[发明专利]一种晶体切割方法有效

专利信息
申请号: 201410187536.9 申请日: 2014-05-05
公开(公告)号: CN105082375B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 涂衡;胡章贵;岳银超;赵营 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 王文君
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种晶体切割方法,利用三维扫描仪对待切割的晶体进行接触式或非接触式扫描测量,获得晶体各个晶面尺寸信息;再将其输入solidworks软件进行编辑,在软件中对晶体进行模拟切割,获知切割后的器件的准确数据,与所需器件数据比对,直到能切割出符合要求的器件为止,依此再对晶体进行切割。采用本发明的方法可实现在晶体切割前对切割方案进行模拟,以实现精确切割,提高晶体的利用率,尤其在大尺寸器件切割中,能最大化利用晶体。与传统生长方法相比,具有利用率高、切割精度高、降低成本消耗等优点。
搜索关键词: 一种 晶体 切割 方法
【主权项】:
一种晶体切割方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、利用单晶定向仪对待切割晶体进行定向,掌握晶体的方向信息;S2、利用三维扫描仪对待切割的晶体进行扫描,获得晶体各个晶面的精确三维尺寸、晶面角度和晶面分布的数据信息;S3、将步骤S2得到的晶体的数据信息输入晶体切割模拟软件进行编辑;S4、在步骤S3中所述的晶体切割模拟软件中对晶体进行模拟切割,获知切割后的晶体的数据信息,与所需晶体数据比对,直到切割出符合要求的晶体为止,根据模拟结果制定出切割方案;S5、在待切割的晶体上切割出一个基准面,对基准面进行定向测量,如果误差小于误差范围的要求,则进入下一步骤;如果误差范围超过误差范围要求,则需重新切割基准面,直至满足要求;S6、依照步骤S4制定出的切割方案对晶体进行切割,切割完成后对晶面进行定向测量。
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