[发明专利]能够进行雪崩能量处理的III族氮化物晶体管

摘要

本发明涉及一种能够进行雪崩能量处理的III族氮化物晶体管。一种半导体器件(200)，包括带有过压箝位组件(212)的GaN FET(202)，该过压箝位组件(212)电耦合到GaN FET的漏极节点(204)并且串联耦合到电压降组件(220)。该电压降组件电耦合到为GaN FET提供截止状态偏压的端子。该过压箝位组件当在GaN FET的漏极节点处的电压小于GaN FET的击穿电压时导通微小的电流，并当该电压上升至安全电压极限以上时传导大量的电流。该电压降组件被配置为提供随着来自过压箝位组件的电流增加而增加的电压降。该半导体器件被配置为当电压降组件两端的电压降达到阈值时导通该GaN FET。

主权项

1.一种半导体器件，其包括：氮化镓场效应晶体管即GaN FET；过压箝位组件，所述过压箝位组件的第一端被电耦合到所述GaN FET的漏极节点，所述过压箝位组件被配置为当在所述漏极节点处的电压小于安全电压极限时传导微小的电流，该安全电压极限小于所述GaN FET的击穿电压；所述过压箝位组件被进一步配置为当在所述GaN FET的所述漏极节点处的所述电压上升至所述安全电压极限以上时传导大量的电流；以及电压降组件，所述电压降组件的第一端被电耦合到所述过压箝位组件的第二端，所述电压降组件的第二端被电耦合到为所述GaN FET提供截止状态偏压的偏置电位的端子，所述电压降组件被配置为提供电压降，该电压降随着来自所述过压箝位组件的电流增加而增加；所述半导体器件被配置为当所述电压降组件两端的所述电压降达到阈值时导通所述GaN FET。