[发明专利]用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置

摘要

本发明提供一种用于蚀刻光掩模的方法和装置。该装置包括在衬底支架上方具有护板的工艺腔室。该护板包含具有孔的板，以及该板具有两个区域，这两个区域具有彼此不同的至少一种属性，诸如材料或电势偏压。该方法提供用于蚀刻具有经过护板的离子和中性物质分布的光掩模衬底。

主权项

1.一种等离子体蚀刻的装置，包括：工艺腔室；设置在工艺腔室中的支撑底座，所述支撑底座在其上容纳光掩模；在所述腔室内形成等离子体的RF功率源；以及在所述腔室中设置在所述底座上方的护板，所述护板包含一板，所述板具有两个彼此独立且相邻的区域，每个区域都具有多个孔以及具有彼此不同的至少一种属性，所述至少一种属性是材料，其中所述两个彼此独立且相邻的区域各包含介电常数彼此不同且高于4的材料，并且所述区域用于从等离子体过滤离子以控制经过所述板的离子和中性物质的分布的改变，导致在蚀刻结果中的相应变化。