[发明专利]一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪

摘要

本发明涉及磁粉探伤设备技术领域，尤其涉及一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，所述磁粉探伤仪包括磁粉探伤仪电源处理电路，所述磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和H桥电路，所述控制电路和H桥电路连接，所述H桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制H桥电路的输出波形，以便H桥电路输出0～60Hz的电压频率信号。可见，一种磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。

主权项

一种磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于：包括升压电路、控制电路和H桥电路，所述控制电路和H桥电路连接，所述H桥电路还和升压电路连接，所述控制电路控制H桥电路的输出波形，以便H桥电路输出0～60Hz的电压频率信号；所述电压频率信号包括直流电压频率信号、交流定频电压频率信号和15～50Hz交流扫频电压频率信号；所述升压电路包括SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上设置有第1管脚、第2管脚、第3管脚、第4管脚、第5管脚、第6管脚、第7管脚、第8管脚、第9管脚、第10管脚、第11管脚、第12管脚、第13管脚、第14管脚、第15管脚和第16管脚；所述第1管脚的第一路依次通过电阻R10和电容C7连接第9管脚，所述第1管脚的第二路通过电容C13接地，所述第1管脚的第三路连接电阻R19的一端的第一路，所述第2管脚的第一路通过电阻R17接地，所述第2管脚的第二路连接电阻R14的一端，所述第3管脚悬空，所述第4管脚悬空，所述第5管脚的第一路通过电容C12接地，所述第5管脚第二路通过电阻R16连接第7管脚，所述第6管脚通过电阻R13接地，所述第8管脚通过电容C11接地，所述第10管脚的第一路通过电阻R1接地，所述第10管脚的第二路通过电容C1接地，所述第10管脚的第三路通过电阻R2连接SHD端，所述第11管脚的第一路连接电阻R11的一端，所述第11管脚的第二路连接电阻R12的一端，所述第12管脚接地，所述第13管脚的第一路连接电源BAT+端，所述第13管脚的第二路通过电容C4接地，所述第13管脚的第三路通过电容C5接地，所述第14管脚的第一路连接电阻R3的一端，所述第14管脚的第二路连接电阻R4的一端，所述第15管脚连接电源BAT+端，所述第16管脚连接电阻R14的另一端的第一路；电阻R14的另一端的第二路通过电容C9接地，电阻R14的另一端的第三路通过电容C10接地，所述电阻R11的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的MOS场效应管Q3的栅极，所述电阻R11的另一端的第二路连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，MOS场效应管Q3的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的MOS场效应管Q4的漏极，MOS场效应管Q3的漏极的第二路连接电容C8的一端，MOS场效应管Q3的漏极的第三路连接变压器的第一电压输入端，MOS场效应管Q3的源极接地，所述电阻R12的另一端的第一路连接MOS场效应管Q4的栅极，所述电阻R12的另一端的第二路连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地，MOS场效应管Q4的源极接地，所述电阻R3的另一端的第一路连接IRF3205ZS型的MOS场效应管Q1的栅极，所述电阻R3的另一端的第二路连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，MOS场效应管Q1的漏极的第一路连接IRF3205ZS型的MOS场效应管Q2的漏极，MOS场效应管Q1的漏极的第二路连接电阻R7的一端，MOS场效应管Q1的漏极的第三路连接变压器的第二电压输入端，MOS场效应管Q1的源极接地，所述电阻R4的另一端的第一路连接MOS场效应管Q2的栅极，所述电阻R4的另一端的第二路连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地，MOS场效应管Q2的源极接地，电阻R7的另一端和电容C8的另一端连接；变压器的第一电压输出端的第一路连接FR207型的二极管D1的负极，变压器的第一电压输出端的第二路连接FR207型的二极管D2的正极，变压器的第二电压输出端的第一路连接FR207型的二极管D3的正极，变压器的第二电压输出端的第二路连接FR207型的二极管D4的负极，二极管D1的正极接地，二极管D2的负极的第一路连接二极管D3的负极，二极管D2的负极的第二路依次通过电阻R15和电阻R18连接电阻R19的一端的第二路，电阻R19的另一端接地，二极管D2的负极的第三路连接电源VCC‑H端，二极管D2的负极的第四路通过电容C6接地，二极管D4的正极接地。