[发明专利]改善层间介质层研磨返工工艺的方法无效
| 申请号： | 201410163486.0 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103972048A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 徐莹;罗飞;周维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善层间介质层研磨后返工工艺的方法，用于对层间介质层研磨后的半导体衬底进行返工，所述层间介质层被过量研磨，所述层间介质层具有目标厚度，包括：测量所述层间介质层的实际厚度；根据所述层间介质层的实际厚度与所述层间介质层的目标厚度的差异，获得补偿膜层的厚度，所述补偿膜层用于覆盖所述层间介质层的表面；获得覆盖膜层的目标厚度，所述覆盖膜用于覆盖所述补偿膜层的表面；根据所述补偿膜层与所述覆盖膜层的厚度之和，进行一次沉积工艺，形成所述补偿膜层和覆盖膜层。本发明减少了等离子体增强化学气相沉积工艺给下方的层间介质层带来的损伤，减少了研磨误差带来的器件性能漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 介质 研磨 返工 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种改善层间介质层研磨后返工工艺的方法，用于对层间介质层研磨后的半导体衬底进行返工，所述层间介质层被过量研磨，所述层间介质层具有目标厚度，其特征在于，所述方法包括：测量所述层间介质层的实际厚度；根据所述层间介质层的实际厚度与所述层间介质层的目标厚度的差异，获得补偿膜层的厚度，所述补偿膜层用于覆盖所述层间介质层的表面；获得覆盖膜层的目标厚度，所述覆盖膜用于覆盖所述补偿膜层的表面；根据所述补偿膜层与所述覆盖膜层的厚度之和，进行一次沉积工艺，形成所述补偿膜层和覆盖膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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