[发明专利]一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法在审
| 申请号： | 201410146735.5 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103955123A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄立;姚柏文;戴俊碧 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 唐正玉 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法，去胶液为无机碱性液，PH值为7-14；去胶液的组成成分为：按质量百分比计，无机碱30-40%，双氧水1-5%，其余为去离子水，将上述各组分混合而成，将离子注入后晶片装入提篮内，浸入步骤上述去胶液中进行去胶处理，以1次/秒的速度上下抖动，抖动行程为2－4cm，去胶处理20－40s后取出，用去离子水冲洗，用氮气吹干晶片。本发明的整个去胶过程无外力介入，单纯的化学浸泡，对晶片表面无损伤，不会引起应力沉淀；配制简单、成本低、去胶效果显著，可快速去除变性后的光刻胶、废液处理简单、去胶液为无机液对环境无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 晶片 湿法 去胶液 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入后晶片的湿法去胶液，其特征在于：去胶液为无机碱性液，PH值为7‑14；去胶液的组成成分为：按质量百分比计，无机碱30‑40%，双氧水1‑5%，其余为去离子水，将上述各组分混合而成。
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