[发明专利]一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410145629.5 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103952678A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;张翔宇;陈文丰;郭艳敏 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 牛世静 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法，包括溅射准备和溅射镀膜，还包括：将磁控溅射生长的薄膜进行真空退火处理，柔性衬底的真空退火温度为50～150℃，时间为20～60min；硬质衬底的真空退火温度为200～500℃，时间为20～40min；再将退火处理的薄膜进行氢等离子处理，得到所述的掺氟氧化锌基透明导电薄膜；氢等离子处理工艺为：本底气压低于5×10-6Torr，工作气压为1～20mTorr，衬底的温度为室温至200℃，射频电源的功率为20～100W。本发明将真空退火与氢等离子处理相结合，经进一步的优化，制备得到迁移率高达30cm2V-1s-1的ZnO：F透明导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 氧化锌 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法，包括溅射准备和溅射镀膜，其特征在于，还包括如下步骤：（1）将磁控溅射生长的薄膜进行真空退火处理，柔性衬底的真空热退火的温度为50～150℃，时间为20～60min；或，硬质衬底的真空热退火的温度为200～500℃，时间为20～40min；（2）将步骤（1）得到的退火处理的薄膜进行氢等离子处理，制备得到所述的高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜；所述氢等离子处理工艺为：本底气压低于5×10‑6Torr，工作气压为1～20mTorr，衬底的温度为室温至200℃，射频电源的功率为20～100W。
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